Страница 3 из 3
Естественно, что во время восстановления Е0 информация теряется, но
практически проверено, что потеря информации в 1/10 часть периода не приводит к
потере информации в целом, речь лишь немного искажается, и то же время энергия
импульсов помехи снижается до минимального уровня.
На рис. 3.17. в приведена принципиальная схема генератора и демодулятора.
В состав генератора входят:
- микросхема DD1;
- транзисторы VT1, VT2 (модулирующие);
- элементы R2, R3, С1, С5, R4, R5, R6, R7;
- источник питания 5 В — DA1, C2. В состав демодулятора входят:
- двунаправленный ключ DA2 с элементом регулировки Е —R8;
- микросхема DD2;
- буферные каскады VT4, VT5;
- входной узел приема VT3;
- элементы R13, R14, R15, СЗ, R16, С4, R9, R10, Rll, R12;
- стабилизатор напряжения питания 5 В — DA1. Принцип работы схемы
заключается в следующем.
Генератор, собранный на микросхеме DD1, формирует последовательность
импульсов помехи в соответствии с графиком А (рис. 3.17. б). Демодулятор через
входной узел VT3 по переднему фронту импульса помехи запускает формирователь
DD2.1, рассчитанный на длительность около 0,37 мс. На это время с помощью ключа
DA2 через вход 4 на выход 3 подается постоянное напряжение с резистора R8,
восстанавливая таким образом ЕО.
Вход 1 DA2 в это время заперт. После окончания времени 0,37 мс, задаваемого
DD2.1, дальнейшее переключение двунаправленного ключа DA2 определяет
формирователь DD2.2, который рассчитан на длительность около 2 мс. Формирователь
DD2.2 подключает вход 1 DA2 к выходу 2 (вход 4 DA2 в это время заперт). Таким образом происходит процесс демодуляции
речи с импульсными помехами в канале связи. Демодулятор N2 на противоположном
конце линии ТА2 выполнен по аналогичной схеме.
Предложенный вариант маскиратора не обладает серьезной криптостойкостью и
может рассматриваться лишь как средство для изучения физических процессов в
проводных каналах связи. Для использования такого маскиратора на реальной
телефонной линии необходимо предусмотреть ряд дополнительных каскадов для
согласования уровней, защиты от напряжения индукторного вызова и пр.
|